Suggerimenti per l'applicazione del circuito transistor bipolare a gate isolato

Controllo-del tempo morto
Nelle topologie a mezzo-ponte/ponte intero-, è necessario inserire un tempo morto (tipicamente 0,5~2μs) durante la commutazione dei transistor superiore e inferiore per evitare cortocircuiti diretti. I moderni gate driver possono inserire automaticamente questo tempo.

 

Cooperazione con diodi a ruota libera
L'IGBT è un dispositivo unidirezionale. I carichi induttivi (come motori o trasformatori) devono avere diodi a recupero rapido (FWD) collegati in parallelo per fornire un percorso di corrente inversa.

 

Selezione del tipo
Tipo a saturazione (PT-IGBT): adatto per circuiti CC (come convertitori CC-CC) con capacità di resistenza a bassa tensione inversa.

 

Tipo non-saturante (NPT-IGBT): adatto per scenari di tensione CA o bidirezionale (come gli inverter) con capacità di blocco simmetrico.