Definizione di transistor bipolare a gate isolato

Il transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è un dispositivo semiconduttore di potenza composito, completamente controllato, azionato in tensione- che combina i vantaggi del MOSFET (transistor a effetto di campo- di ossido di metallo-Semiconductor) e BJT (transistor a giunzione bipolare).

 

Punti di definizione fondamentali
Composizione della struttura: combina l'elevata impedenza di ingresso e le caratteristiche guidate dalla tensione-di un MOSFET con la bassa caduta di tensione di conduzione e l'elevata capacità di trasporto-di corrente di un BJT.

 

Principio di funzionamento: applicando tensione al gate per controllare la formazione del canale, si fornisce corrente di base al transistor PNP, ottenendo l'accensione o lo spegnimento-.

 

Struttura terminale: ha tre elettrodi - Porta (G), Collettore (C) ed Emettitore (E).

 

Principali vantaggi
Elevata impedenza di ingresso (simile al MOSFET, bassa potenza di pilotaggio)

Bassa caduta di tensione di conduzione (simile a BJT, bassa perdita di conduzione)

Adatto per applicazioni ad alta tensione, corrente elevata e da media ad alta-frequenza