Caratteristiche di base del transistor bipolare a gate isolato (IGBT)

Principali caratteristiche elettriche

Elevata impedenza di ingresso: eredita le caratteristiche del MOSFET, richiede una bassa potenza di pilotaggio e ha un circuito di pilotaggio semplice.

 

Bassa caduta di tensione di conduzione: utilizza l'effetto di modulazione della conduttività; la-tensione di saturazione dello stato attivo (Vce(sat)) è molto inferiore a quella dei MOSFET con la stessa tensione nominale, in genere 1,5~3 V.

 

Alta tensione e grande capacità di corrente: adatto per livelli di tensione da 600 V a 6500 V, con corrente che arriva da 10 A a 1800 A.

 

Frequenza di commutazione moderata: l'intervallo di frequenza operativa è solitamente di decine di kHz (ad esempio 10–100 kHz), superiore a BJT ma inferiore a MOSFET.

 

Coefficiente di temperatura positivo: al di sotto della corrente nominale, Vce(sat) aumenta leggermente con la temperatura, il che è vantaggioso per la condivisione della corrente se utilizzato in parallelo.